Objetivos de la asignatura
Comprender los principios de funcionamiento de las principales tecnologías de dispositivos electrónicos con potencial de aplicación industrial en el presente y en el futuro cercano, con especial énfasis en tecnologías de alto rendimiento y energéticamente eficientes.
Conocer la evolución de la topología del MOSFET hasta nuestros días en respuesta a los problemas surgidos en el proceso de escalado y miniaturización.
Conocer las principales familias de dispositivos de uso creciente en el ámbito de aplicaciones específicas: alta frecuencia (microondas y terahercios), bajo consumo, recolección de energía, etc.
Entender las figuras de mérito más relevantes de los dispositivos electrónicos en sus distintas aplicaciones.
Manejar bibliografía y documentos técnicos referentes a tecnologías de dispositivos electrónicos.
Utilizar herramientas TCAD para la simulación y el diseño de tecnologías y dispositivos electrónicos.
Principales contenidos
Teóricos
- Diodos y transistores convencionales
Unión pn
Transistor bipolar
Transistor MOSFET
- Escalado del MOSFET
Mitigación de efectos de canal corto
Dieléctricos de alta k
FinFET, Gate-All-Around FET
- Dispositivos de alta frecuencia
Diodos: Gunn, túnel resonante, Schottky
Transistores: HBT, MESFET, HEMT
- Tecnologías de bajo consumo
Tunnel FET
Dispositivos espintrónicos
Dispositivos balísticos
Dispositivos basados en materiales 2D
- Dispositivos recolectores de energía
Piezoeléctricos
Termoeléctricos
Prácticos
– Medida de características eléctricas de dispositivos electrónicos y extracción de parámetros.
– Simulación mediante herramientas TCAD de características eléctricas de dispositivos electrónicos.