Objetivos de la asignatura

Comprender los principios de funcionamiento de las principales tecnologías de dispositivos electrónicos con potencial de aplicación industrial en el presente y en el futuro cercano, con especial énfasis en tecnologías de alto rendimiento y energéticamente eficientes.

Conocer la evolución de la topología del MOSFET hasta nuestros días en respuesta a los problemas surgidos en el proceso de escalado y miniaturización.

Conocer las principales familias de dispositivos de uso creciente en el ámbito de aplicaciones específicas: alta frecuencia (microondas y terahercios), bajo consumo, recolección de energía, etc.

Entender las figuras de mérito más relevantes de los dispositivos electrónicos en sus distintas aplicaciones.

Manejar bibliografía y documentos técnicos referentes a tecnologías de dispositivos electrónicos.

Utilizar herramientas TCAD para la simulación y el diseño de tecnologías y dispositivos electrónicos.

Principales contenidos

Teóricos

  1. Diodos y transistores convencionales

Unión pn

Transistor bipolar

Transistor MOSFET

  1. Escalado del MOSFET

Mitigación de efectos de canal corto

Dieléctricos de alta k

FinFET, Gate-All-Around FET

  1. Dispositivos de alta frecuencia

Diodos: Gunn, túnel resonante, Schottky

Transistores: HBT, MESFET, HEMT

  1. Tecnologías de bajo consumo

Tunnel FET

Dispositivos espintrónicos

Dispositivos balísticos

Dispositivos basados en materiales 2D

  1. Dispositivos recolectores de energía

Piezoeléctricos

Termoeléctricos

 

Prácticos

– Medida de características eléctricas de dispositivos electrónicos y extracción de parámetros.

– Simulación mediante herramientas TCAD de características eléctricas de dispositivos electrónicos.