Objetivos de la asignatura
Revisar los principales conceptos relativos a los materiales semiconductores, incluyendo técnicas de crecimiento.
Introducir los conceptos de ingeniería de bandgap y heteroestructuras.
Conocer las propiedades ópticas de Si, Ge y semiconductores III-V y II-VI binarios, ternarios y
cuaternarios.
Describir las principales estructuras diseñadas para el confinamiento electrónico y/u óptico basadas en sistemas de baja dimensionalidad.
Presentar materiales 2D (grafeno, MoS 2 , WSe 2 , etc) relevantes en electrónica, optoelectrónica y fotónica.
Describir materiales de reciente interés en fotovoltaica (perovskitas, nanoestructuras de Si) y almacenamiento de energía (TiS2, óxidos de grafeno).
Principales contenidos
Teóricos
TEMA 1: PROPIEDADES ELECTRÓNICAS DE SEMICONDUCTORES
1.1 Principios básicos
1.2 Ingeniería de bandgap
1.3. Heteroestructuras
TEMA 2: PROPIEDADES ÓPTICAS DE SEMICONDUCTORES
2.1 Absorción y emisión de radiación
2.2 Propiedades de aleaciones
TEMA 3: CONFINAMIENTO ELECTRÓNICO Y ÓPTICO EN MATERIALES DE BAJA DIMENSIONALIDAD
3.1 Pozos cuánticos
3.2 Guías de onda y cristales fotónicos
3.3 Nanohilos (NWs)
TEMA 4: NUEVOS MATERIALES
4.1. Grafeno y otros sistemas 2D
4.2. Materiales para fotovoltaica y almacenamiento de energía
Prácticos
Caracterización de semiconductores volúmicos, heteroestructuras y nanoestructuras mediante espectroscopía Raman y microscopía electrónica / catodoluminiscencia.