Objetivos de la asignatura

Conocer las ventajas de la integración de circuitos y sistemas en un chip.

Aprender los procesos tecnológicos usados en la fabricación de circuitos integrados y su concatenación para fabricarlos.

Utilizar herramientas TCAD para la modelización de los procesos de fabricación.

Entender las limitaciones físicas en la fabricación de dispositivos semiconductores (efecto túnel, disipación térmica, …) y las necesidades de desarrollo en un entorno post-Moore.

Conocer las principales tecnologías actuales tanto en circuitos integrados basados en silicio como en dispositivos electrónicos.

Principales contenidos

Teóricos

  1. Estado del arte en la fabricación de circuitos integrados. Conceptos generales y límites físicos a la integración de circuitos. Ley de Moore. Fiabilidad.
  2. Tecnología de procesos para fabricación sobre oblea de silicio:

Oxidación de silicio

Ataque/Grabado de materiales

Fotolitografía

Deposición de capas: técnicas de crecimiento epitaxial, deposición de dieléctricos y metalización.

Técnicas estándar de dopado de semiconductores

Integración de procesos para la fabricación de dispositivos y circuitos

  1. Integración de componentes pasivos y transistores. Principales tecnologías bipolares y de efecto de campo.
  2. Casos de estudio: Tecnologías bipolares de heterounión y BiCMOS. Tecnologías CMOS planar y no planar (finFET). MEMs. Arquitecturas avanzadas.
  3. Fabricación de dispositivos optoelectrónicos y células solares.
  4. TCAD aplicado a procesos de fabricación.

 

Prácticos

Simulación numérica TCAD de procesos de fabricación e integración de transistores usando Synopsys TCAD.